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(单选题)1: 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。 A: 处于饱和状态 B: 处于放大状态 C: 处于截止状态 D: 已损坏 (单选题)2: 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。 A: NPN型锗管 B: PNP型锗管 C: PNP型硅管 D: NPN型硅管 (单选题)3: 反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。 A: 越好 B: 越差 C: 无变化 D: 不确定 (单选题)4: 在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。 A: 共射极 B: 共集电极 C: 共基极 D: 不确定 (单选题)5: 对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。 A: 发射极 B: 基极 C: 集电极 D: 不确定 (单选题)6: 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。 A: 0.1V B: 0.3V C: 0.5V D: 0.7V (单选题)7: 引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。 A: 输入电阻太小 B: 静态工作点偏低 C: 静态工作点偏高 D: 输出电阻太小 (单选题)8: 晶体管能够放大的外部条件是()。 A: 发射结正偏，集电结反偏 B: 发射结正偏，集电结正偏 C: 发射结反偏，集电结正偏 D: 发射结反偏，集电结反偏 (单选题)9: 在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷 (单选题)10: 温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。 A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 不确定 (判断题)11: N型半导体带正电。 A: 对 B: 错 (判断题)12: 射极输出器无放大功率的能力。 A: 对 B: 错 (判断题)13: 当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。 A: 对 B: 错 (判断题)14: 与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。 A: 对 B: 错 (判断题)15: 对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。 A: 对 B: 错 (判断题)16: 利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。 A: 对 B: 错 (判断题)17: 温度升高,晶体管输入特性曲线右移。 A: 对 B: 错 (判断题)18: 温度升高,晶体管输出特性曲线上移。 A: 对 B: 错 (判断题)19: 阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。 A: 对 B: 错 (判断题)20: 当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。 A: 对 B: 错 (责任编辑：admin) |
